“根据摩尔定律,集成电路芯片上可容纳的晶体管数,每隔18-24个月便会增加一倍,微处理器的性能就提高一倍,价格会下降一半。”

    “过去,几十年来,晶体管的栅极尺寸在摩尔定律的推动下不断微缩,但是最近几年,晶体管在物理尺寸已经进入纳米尺度,电子迁移效率降低、漏电流增大、静态功耗增大等短沟道效应越来越严重。”

    “新结构,新材料,迫在眉睫。”

    “目前主流工业界晶体管的栅极尺寸在12纳米以上,但是,我们石墨烯制备这项技术已然攻破,我们可以用单层石墨烯,这种厚度仅为0.34纳米的材料,构织栅极,让出更多的空间,用来放置晶体管。”

    “现在,我要成立2号小组,根据我的指示,攻克石墨烯栅极技术,用侧向电场的技术,打开沟道开关,我的目标是,用008号材料,更好的电学效能,将栅极尺寸控制在1纳米以内。”

    “能不能做到?”

    “能!”

    很快,就有自愿加入的科研大军,觉得自己适合搞这个,举手加入第二小组。

    “下面,成立3号小组。”

    “石墨烯本身是平面结构,其除了侧壁能够栅控,表面也能栅控,这是不可以的,需要屏蔽表面电场。”

    “我需要3号小组,根据我的指导方向,开发出自氧化铝层,来对石墨烯表面电场进行屏蔽,有兴趣的来3号小组。”

    “又是一队人马,主要是研究材料方向的博士教授举手,加入了3号小组。”

    “4号小组,8英寸石墨烯晶圆。”

    ……

    就这样,一个个小组成立,最后,陈申说道:“余下的各位,加入我的一号小组,由我做领头羊,完成石墨烯晶体管技术。”